cq9电子游戏网站

  GaN MOSFET中的源漏有源区及欧姆接触可以用离子注入工艺实现,也可以用AlGaN/GaN异质结上的欧姆接触代替。因此,本文采用Tanner EDA提供的L-Edit软件设计了可以同时兼容离子注入与AlGaN/GaN异质结工艺的GaN MOSFET光刻工艺版图。
 
  AlGaN/GaN异质结上GaN MOSFET的工艺版图如图1所示,一共设计完成了九层光刻掩膜板。它们分别是对位标记(MARK)、离子注入(ION)、台面隔离(MESA)、沟槽刻蚀(RECESS)、栅氧腐蚀(OXIDE)、源漏(SD)、栅(GATE)、种子层开口(HOLA)和厚电镀开口(PAD)。版图设计中的最小沟道长度尺寸为2μm,版与版之间的冗余设计距离为3μm。各个版图的详细功能如表1所示。
表1 GaN MOSFET的各层光刻掩膜板
GaN MOSFET的各层光刻掩膜板  
GaN MOSFET的版图  
图1 GaN MOSFET的版图
 
  需要说明的是并不是所有的光刻版在GaN MOSFET的制作过程中都会被用到。根据具体的工艺情况,有一些版图可以省略。离子注入ION版只用在基于离子注入形成源漏的GaN MOSFET,用以替代AlGaN/GaN异质结GaN MOSFET中的MESA台面隔离版。OXIDE版可以在工艺中省略,因为有源区的栅介质层可以直接通过SD版开窗口后进行去除。当对器件的高频特性以及电极寄生电阻要求不高时,HOLE版和PAD版可以省略。
四种GaN MOSFET测试图形  
图2 四种GaN MOSFET测试图形
 
  在版图中,设计了四种基本类型的GaN MOSFET图形。如图2(a)~(d)所示,它们分别是长沟道环形器件(LR),长沟道条形器件(LB),短沟道环形器件(SR)和短沟道条形器件(SB)。它们被用来评测GaN MOSFET的各种特性,如输出特性、转移特性、电容电压特性等。通过这些特性,可以计算出器件的沟道迁移率、界面态密度和其它一些基本参数。除了这四种GaN MOSFET图形,版图中还设计了一些必要的辅助测试或者工艺结构,如对位标记图形(e),MOS二极管图形(f),击穿测试图形(g),TLM电阻测试图形(h),和高频MOSFET测试图形(i)。从(a)到(i)所有这些图形均被标记在图1中的版图中。

相关阅读