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  在金属栅和AlGaN势垒层间插入Si02绝缘层,会形成MOSHFET结构,这种结构克服了肖特基接触反向泄漏电流大,易击穿的问题,能够进一步改善器件的热稳定性。图1是SiO2厚度分别为1nm、10nm、20nm三种情况下的输出漏极电流。图1a是相对应栅极电压下的输出电流,从图中可以看出,阈值电压绝对值大幅增加,这是所加的SiO2使栅的耗尽作用变弱造成的。图1b和c分别是栅极电压分别为0V和-2V情况下的输出电流,比较不同SiO2厚度情况下的输出电流可以看出,随着SiO2厚度的增加,输出电流增加,这是由于SiO2减弱了栅极对沟道电子的调制作用。
(a)不同栅压下输出电流  (b)Vg=0输出电流  (c)Vg=-2V输出电流  
图1 (a)不同栅压下输出电流  (b)Vg=0输出电流  (c)Vg=-2V输出电流
 

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